云全新（yunquanxin@genomics.cn），博士，华大研究院助理院长。曾主导研制我国首款高通量纳米孔基因测序仪并已量产。
研究方向：
1.生物传感：面向人体全生理指标检测的各类传感器技术
2.基因测序：新型分子检测与测序技术
3.脑机接口与类脑智能：脑神经信号的检测、干预与操控技术；类脑智能传感与计算
4.超算芯片与硬件加速：面向大规模生信计算的超算芯片与硬件加速技术
现任岗位：华大研究院 管理团队 华大研究院助理院长
教育背景：北京大学 微电子学与固体电子学 博士
参与项目：
1.单分子基因测序准确率改进方法研究
2.861-1项目
3.基于纳米孔的第三代测序及配套试剂的研发
4.新一代基因测序技术的研发
论文：
1.Quanxin Yun, Min Li, Xia An, Meng Lin, Pengqiang Liu, Zhiqiang Li, Bingxin Zhang, Yuxuan Xia, Hao Zhang, Xing Zhang, Ru Huang and Yangyuan Wang, “Impact of Nitrogen-Plasma-Passivation on Interface Trap Density, Roughness and Interfacial Layer Thickness of Germanium MOS Capacitor”, Chin. Phys. B, Vol. 23, No. 11 (2014) 118504 Published 17 September 2014, doi: 10.1088/1674-1056/23/11/118504
2.Quanxin Yun, Min Li, Xia An, Meng Lin, Pengqiang Liu, Zhiqiang Li, Bingxin Zhang, Yuxuan Xia, Hao Zhang, Xing Zhang, Ru Huang and Yangyuan Wang, “Experimental Clarification of Orientation Dependence of Germanium PMOSFETs with Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack”, Chin. Phys. B, Vol. 23, No. 11 (2014) 118506 Published 17 September 2014, doi: 10.1088/1674-1056/23/11/118506
3.Quanxin Yun, Jing Zhuge, Ru Huang, Runsheng Wang, Xia An, Liangliang Zhang, Xing Zhang and Yangyuan Wang, “Investigation of Different Strain Configurations in Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistor,” ECS Transactions, vol. 27, no. 1, pp. 15-20, Mar. 2010
4.Zhiqiang Li, Xia An, Quanxin Yun, Meng Lin, Min Li, Ming Li, Xing Zhang, Ru Huang, "Low Specific Contact Resistivity to n-Ge and Well-Behaved Ge n+/p Diode Achieved by Multiple Implantation and Multiple Annealing Technique," IEEE Electron Device Lett., vol.34, no.9, pp.1097-1099, Sept. 2013
5.Zhiqiang Li, Xia An, Quanxin Yun, Meng Lin, Xing Zhang, and Ru Huang, “Tuning Schottky Barrier Height in Metal/n-Type Germanium by Inserting an Ultrathin Yttrium Oxide Film”, ECS Solid State Lett., vol. 1, no. 4, Q33-Q34, 2012
6.Zhiqiang Li, Xia An, Min Li, Quanxin Yun, Meng Lin, Ming Li, Xing Zhang, Ru Huang, "Low Electron Schottky Barrier Height of NiGe/Ge Achieved by Ion Implantation After Germanidation Technique," IEEE Electron Device Lett., vol.33, no.12, pp.1687,1689, Dec. 2012
7.安霞，黄如，李志强，云全新，林猛，郭岳，刘朋强，黎明，张兴；高迁移率Ge沟道器件研究进展，物理学报，2015, 64(20): 49-60
8.Zhiqiang Li, Xia An, Min Li, Quanxin Yun, Meng Lin, Ming Li, Xing Zhang, Ru Huang, "Morphology and Electrical Performance Improvement of NiGe/Ge Contact by P and Sb Co-implantation,"IEEE Electron Device Lett., vol.34, no.5, pp.596-598, May 2013
9.Meng Lin, Ming Li, Xia An, Quanxin Yun, Min Li, Zhiqiang Li, Pengqiang Liu, Xing Zhang and Ru Huang, “Surface passivation of the Ge substrate by novel nitrogen plasma immersion treatment,” Semicond. Sci. Technol., vol. 28, no. 8, 085010, Aug., 2013
10.Meng Lin, Xia An, Ming Li, Quanxin Yun, Min Li, Zhiqiang Li, Pengqiang Liu, Xing Zhang, Ru Huang, “Fabricating GeO2 Passivation Layer by N2O Plasma oxidation for Ge NMOSFETs Application”, Chin. Phys. B, Vol.23, No.6 (2014) 067701
专利：
1.云全新，安霞，黄如，张兴，一种用于集成电路制造的场区隔离方法，2013.08.14，中国，ZL201110240190.0
2.云全新，安霞，黄如，张兴，一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管，2012.07.04，中国、美国，ZL201010219177.2/ US8450155B2、PCT/CN2011/072387
3.云全新，安霞，艾玉杰，黄如，张兴，一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法，2012.05.30，中国、美国，ZL201010219179.1/ US8673722B2、PCT/CN2011/072064
4.云全新，流道结构器件及其制造方法，2022.2.8，ZL201780090926.6、PCT/CN2017/095501
5.云全新，流道结构器件及其制造方法，2022.10.25，ZL201780090943.X、PCT/CN2017/095498
6.云全新，林建勋，微孔电极及分析化学物质的方法，中国、日本、欧洲、丹麦，2021.10.22，ZL201680021734.5、PCT/CN2016/086846
7.林猛，安霞，黎明，云全新，李志强，李敏，刘朋强，黄如，张兴，淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，2015.12.09，中国、美国，PCT/CN2014/070302
8.林猛，云全新，李敏，王佳鑫，安霞，黎明，张兴，黄如，锗基衬底表面钝化方法，2015.11.04，中国，ZL201210397259.5
9.安霞，郭岳，云全新，黄如，张兴，半导体器件及其制造方法，2014.04.16，中国、美国，ZL201010125795.0、PCT/CN2010/077248
10.李志强，郭岳，安霞，云全新，黄英龙，黄如，张兴，一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，2012.07.25，中国、美国、德国，ZL201110026949.5、PCT/CN2011/080777
软著：
1.WtProduction，2024SR0162791
2.WtOneKeyTestGamma，2024SR0170917
3.自动嵌孔仪软件,2024SR0169135
4.CycloneWY实时测序软件,2024SR0163207
5.CycloneG30实时测序软件,2024SR0169168
6.芯片测试系统控制软件,2024SR0170900
7.梧桐纳米孔基因测序仪控制软件,2024SR0170640
8.芯片测试系统操作软件,2024SR0170926
9.自动化建库系统操作软件,2024SR1278146
